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04 13 2023

對于H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？

對于H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？對于這個(gè)問題其實(shí)市場上在應(yīng)用中已經(jīng)有比較好的答案，目前在H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤髦薪?jīng)常會(huì)用到FGH60N60SMD的IGBT單管。

MORE

06 15 2018

一個(gè)好的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該具備什么要求才達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)？

開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標(biāo)。

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對于H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？

一個(gè)好的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該具備什么要求才達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)？

對于H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？

一個(gè)好的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該具備什么要求才達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)？